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說明 SiC MOSFET 在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢
SiC MOSFET 的低導(dǎo)通和開關(guān)損耗是設(shè)計(jì)工程師需要在更高電壓下實(shí)現(xiàn)高工作頻率的關(guān)鍵因素。這為電力電子應(yīng)用（例如快速電池充電器和伺服驅(qū)動(dòng)器）的設(shè)計(jì)人員帶來了許多優(yōu)勢。然而，碳化硅 MOSFET 會(huì)因 PTO 事件而遭受更大的損失，因此需要仔細(xì)選擇器件和驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)以減輕這些影響。器件對 PTO 的敏感性可以從數(shù)據(jù)表參數(shù)中估算出來，但可以使用合適的評估板進(jìn)行更全面的表征。
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傳感器能效推動(dòng)系統(tǒng)的未來
在支持 AI 系統(tǒng)的傳感器網(wǎng)絡(luò)中，創(chuàng)新正在許多不同的層面上發(fā)生。尤其是 IC 制造商正在開發(fā)低功耗傳感器構(gòu)建模塊，以幫助當(dāng)今的工程師創(chuàng)建未來更智能、更高效的系統(tǒng)。
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布局中板層的PCB堆疊技術(shù)
電路板層堆疊變化將影響電路板的可制造性和成本。 在配置層堆疊時(shí)要考慮的信號和電源完整性細(xì)節(jié)。 不同的 PCB 堆疊技術(shù)以及您的設(shè)計(jì)工具如何幫助您實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。
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通過阻抗平衡降低電源中的 CM 噪聲
在緊湊空間中運(yùn)行的簡單開關(guān)穩(wěn)壓器電路（例如在小型 PCB 上）通常可以部署在嘈雜的環(huán)境中，而不會(huì)在輸出功率電平上疊加明顯的噪聲。只要您正確布置電路板，您可能只需要一個(gè)簡單的濾波器電路來消除輸入和輸出上的 EMI。隨著穩(wěn)壓器在物理上和電氣上變得更大，噪聲問題會(huì)變得更加明顯，即 PCB 布局中的輻射 EMI 和傳導(dǎo) EMI。
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工業(yè)設(shè)計(jì)中的實(shí)時(shí)控制和高精度數(shù)據(jù)采集
降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性的其他系列功能包括片上抽取選項(xiàng)，使設(shè)計(jì)人員能夠輕松去除系統(tǒng)中不需要的噪聲和諧波，并將 SNR 和無雜散動(dòng)態(tài)范圍提高多達(dá) 15 dB。這些抽取選項(xiàng)和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 接口允許設(shè)計(jì)人員將這些 ADC 與基于 ARM 的處理器或數(shù)字信號處理器一起使用，而不是現(xiàn)場可編程門陣列，這有助于降低系統(tǒng)成本。
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